Micron Technology Inc. - EDB4416BBBH-1DIT-F-R

KEY Part #: K915923

[11286pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    EDB4416BBBH-1DIT-F-R
    ತಯಾರಕ:
    Micron Technology Inc.
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಟು ಅನಲಾಗ್ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು (ಡಿಎಸ, ತರ್ಕ - ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಚೆಕ್ಕರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎನರ್ಜಿ ಮೀಟರಿಂಗ್, ತರ್ಕ - ಸಿಗ್ನಲ್ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೆಕ್ಸರ್‌ಗಳು, ಡಿಕ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಮೋಟಾರ್ ಚಾಲಕರು, ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ತರ್ಕ - ಮಲ್ಟಿವೈಬ್ರೇಟರ್‌ಗಳು, ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಟೈಮರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಆಂದೋಲ and ಪಿಎಂಐಸಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರ್ವಹಣೆ - ವಿಶೇಷ ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Micron Technology Inc. EDB4416BBBH-1DIT-F-R electronic components. EDB4416BBBH-1DIT-F-R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB4416BBBH-1DIT-F-R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EDB4416BBBH-1DIT-F-R ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : EDB4416BBBH-1DIT-F-R
    ತಯಾರಕ : Micron Technology Inc.
    ವಿವರಣೆ : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
    ಸರಣಿ : -
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
    ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
    ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - Mobile LPDDR2
    ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4Gb (256M x 16)
    ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 533MHz
    ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
    ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
    ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.14V ~ 1.95V
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TC)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : -
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : -
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : -

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • IS61LPD51236A-250B3LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

    • W25Q257FVFIG

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • W25Q257FVFIG TR

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • MT41K512M16HA-107 IT:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

    • MT41K512M16HA-107G:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

    • MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ.