Toshiba Memory America, Inc. - THGBMNG5D1LBAIL

KEY Part #: K936897

THGBMNG5D1LBAIL ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [15336pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.98795

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
THGBMNG5D1LBAIL
ತಯಾರಕ:
Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಫಿಲ್ಟರ್‌ಗಳು - ಸಕ್ರಿಯ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರದರ್ಶನ ಚಾಲಕರು, ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಐಸಿ ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು, ಮೆಮೊರಿ - ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಡಿಸಿ ಡಿಸಿ ಸ್ವಿಚಿಂ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳಿಗೆ ಆರ್ಎಂಎಸ್, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಎಫ್‌ಪಿಜಿಎಗಳು (ಫೀಲ್ಡ್ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಗೇಟ್ and ಲೀನಿಯರ್ - ವಿಡಿಯೋ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. THGBMNG5D1LBAIL electronic components. THGBMNG5D1LBAIL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for THGBMNG5D1LBAIL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

THGBMNG5D1LBAIL ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : THGBMNG5D1LBAIL
ತಯಾರಕ : Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರಣೆ : 4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI
ಸರಣಿ : e•MMC™
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND (MLC)
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4G (512M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 200MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : eMMC
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -25°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 153-WFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 153-WFBGA (11.5x13)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA