ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32200C-6BLI

KEY Part #: K939935

IS43LR32200C-6BLI ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [27370pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.00303
  • 240 pcs$1.99307

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IS43LR32200C-6BLI
ತಯಾರಕ:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ತರ್ಕ - ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಬಸ್ ಕಾರ್ಯಗಳು, ಮೆಮೊರಿ - ಎಫ್‌ಪಿಜಿಎಗಳಿಗಾಗಿ ಕಾನ್ಫಿಗರೇಶನ್ ಪ್ರಾಮ್ಗಳು, ಮೆಮೊರಿ - ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸೀರಿಯಲೈಜರ್ಸ್, ಡೆಸರಲೈಜರ್ಸ್, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಪಿಎಲ್‌ಡಿಗಳು (ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಲಾಜಿಕ್ ಸಾಧನ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರಸ್ತುತ ನಿಯಂತ್ರಣ / ನಿರ್ವಹಣೆ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - UART ಗಳು (ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಅಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ರಿಸೀವ and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ನಿರ್ವಹಣೆ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI electronic components. IS43LR32200C-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR32200C-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32200C-6BLI ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS43LR32200C-6BLI
ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - Mobile LPDDR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 64Mb (2M x 32)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 166MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 5.5ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 1.95V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 90-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 90-TFBGA (8x13)

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit