IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65803S133BGI

KEY Part #: K915962

71V65803S133BGI ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [5330pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$9.08213
  • 84 pcs$9.03694

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
71V65803S133BGI
ತಯಾರಕ:
IDT, Integrated Device Technology Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA. SRAM 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಟಚ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಗಡಿಯಾರ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಲ್‌ಎಲ್‌ಗಳು, , ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು - ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರ್ದಿ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಲ್ಇಡಿ ಚಾಲಕರು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಐಸಿ ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ನಿರ್ವಹಣೆ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S133BGI electronic components. 71V65803S133BGI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V65803S133BGI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V65803S133BGI ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : 71V65803S133BGI
ತಯಾರಕ : IDT, Integrated Device Technology Inc
ವಿವರಣೆ : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : SRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SRAM - Synchronous ZBT
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 9Mb (512K x 18)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 133MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 4.2ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 3.135V ~ 3.465V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 119-BGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 119-PBGA (14x22)
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT25QU128ABA8ESF-0AAT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2.