Renesas Electronics America - RMLV0816BGBG-4S2#KC0

KEY Part #: K936834

RMLV0816BGBG-4S2#KC0 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [15176pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$3.01935

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
RMLV0816BGBG-4S2#KC0
ತಯಾರಕ:
Renesas Electronics America
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA. SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಎಫ್‌ಪಿಜಿಎಗಳು (, ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ಆಡಿಯೋ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಸಿ ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಆಫ್‌ಲೈನ್ ಸ್ವಿಚರ್‌ಗ, ಮೆಮೊರಿ - ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳಿಗೆ ಆರ್ಎಂಎಸ್, ಮೆಮೊರಿ - ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ತರ್ಕ - FIFO ಗಳ ಮೆಮೊರಿ and ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Renesas Electronics America RMLV0816BGBG-4S2#KC0 electronic components. RMLV0816BGBG-4S2#KC0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMLV0816BGBG-4S2#KC0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMLV0816BGBG-4S2#KC0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : RMLV0816BGBG-4S2#KC0
ತಯಾರಕ : Renesas Electronics America
ವಿವರಣೆ : IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : SRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SRAM
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 8Mb (512K x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 45ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 45ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.4V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 48-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 48-TFBGA (7.5x8.5)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16