Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

KEY Part #: K906796

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [867pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$59.50738

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
ತಯಾರಕ:
Micron Technology Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 32G 2133MHZ. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪೂರ್ಣ, ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆ ಚಾಲಕರು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಸಾಗಣೆದಾರರು, ತರ್ಕ - ಸಿಗ್ನಲ್ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೆಕ್ಸರ್‌ಗಳು, ಡಿಕ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಉಷ್ಣ ನಿರ್ವಹಣೆ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಗಡಿಯಾರ ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್ and ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಪೊಟೆನ್ಟಿಯೊಮೀಟರ್ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR electronic components. MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
ತಯಾರಕ : Micron Technology Inc.
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 32G 2133MHZ
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - Mobile LPDDR4
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 32Gb (512M x 64)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 2133MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : -
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.1V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -30°C ~ 85°C (TC)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : -
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : -
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : -

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • DS1265Y-70IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM