Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG2S0HTAI0

KEY Part #: K938181

TC58BVG2S0HTAI0 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [19471pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$1.97434
  • 10 pcs$1.79100
  • 25 pcs$1.75205
  • 50 pcs$1.74235
  • 100 pcs$1.56255

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
TC58BVG2S0HTAI0
ತಯಾರಕ:
Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಐ / ಒ ಎಕ್ಸ್ಪಾಂಡರ್ಸ್, ಲೀನಿಯರ್ - ವಿಡಿಯೋ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಸಾಗಣೆದಾರರು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಎನ್ಕೋಡರ್ಗಳು, ಡಿಕೋಡರ್ಗಳು, ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೇಸರ್ ಚಾಲಕರು and ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ಆಡಿಯೋ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HTAI0 electronic components. TC58BVG2S0HTAI0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG2S0HTAI0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG2S0HTAI0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : TC58BVG2S0HTAI0
ತಯಾರಕ : Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
ಸರಣಿ : Benand™
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND (SLC)
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4Gb (512M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 25ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 25ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 48-TSOP I

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)