GeneSiC Semiconductor - GB10MPS17-247

KEY Part #: K6441303

GB10MPS17-247 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [3816pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$11.35085

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
GB10MPS17-247
ತಯಾರಕ:
GeneSiC Semiconductor
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A SiC Power Schottky Diode
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 electronic components. GB10MPS17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10MPS17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10MPS17-247 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : GB10MPS17-247
ತಯಾರಕ : GeneSiC Semiconductor
ವಿವರಣೆ : SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Silicon Carbide Schottky
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 1700V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 50A (DC)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1.8V @ 10A
ವೇಗ : No Recovery Time > 500mA (Io)
ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : 0ns
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 12µA @ 1700V
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : 669pF @ 1V, 1MHz
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-247-2
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-247-2
ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -55°C ~ 175°C
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode