Global Power Technologies Group - GSID300A120S5C1

KEY Part #: K6532510

GSID300A120S5C1 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [285pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$162.37558
  • 10 pcs$154.53523

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
GSID300A120S5C1
ತಯಾರಕ:
Global Power Technologies Group
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IGBT MODULE 1200V 430A.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID300A120S5C1 electronic components. GSID300A120S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID300A120S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID300A120S5C1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : GSID300A120S5C1
ತಯಾರಕ : Global Power Technologies Group
ವಿವರಣೆ : IGBT MODULE 1200V 430A
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಐಜಿಬಿಟಿ ಪ್ರಕಾರ : -
ಸಂರಚನೆ : Three Phase Inverter
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1200V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) : 430A
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 1630W
Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 300A
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1mA
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (Cies) @ Vce : 30nF @ 25V
ಇನ್ಪುಟ್ : Standard
ಎನ್‌ಟಿಸಿ ಥರ್ಮಿಸ್ಟರ್ : Yes
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Chassis Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : Module
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : Module

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.