ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16160J-6TLA1 -TR

KEY Part #: K939418

IS45S16160J-6TLA1 -TR ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [25075pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.04663
  • 1,500 pcs$2.03645

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IS45S16160J-6TLA1 -TR
ತಯಾರಕ:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಕೋಡೆಕ್ಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ವಿಶೇಷ, ಐಸಿ ಚಿಪ್ಸ್, ತರ್ಕ - ಮಲ್ಟಿವೈಬ್ರೇಟರ್‌ಗಳು, ತರ್ಕ - ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಸ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು, ತರ್ಕ - ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಬಸ್ ಕಾರ್ಯಗಳು and ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6TLA1 -TR electronic components. IS45S16160J-6TLA1 -TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S16160J-6TLA1 -TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16160J-6TLA1 -TR ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS45S16160J-6TLA1 -TR
ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 256Mb (16M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 166MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 5.4ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 3V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 54-TSOP II

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.