Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16MD1A-5BCN

KEY Part #: K939389

AS4C32M16MD1A-5BCN ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [24994pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66320
  • 25 pcs$1.62689
  • 50 pcs$1.61790
  • 100 pcs$1.45096
  • 250 pcs$1.44553
  • 500 pcs$1.39230
  • 1,000 pcs$1.32372

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
AS4C32M16MD1A-5BCN
ತಯಾರಕ:
Alliance Memory, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ತರ್ಕ - ಲಾಚ್ಗಳು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಅನಲಾಗ್ ಫ್ರಂಟ್ ಎಂಡ್ (ಎಎಫ್‌ಇ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್, ತರ್ಕ - ಅನುವಾದಕರು, ಮಟ್ಟದ ವರ್ಗಾವಣೆದಾರರು, ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ಲೀನಿಯರ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಟರ and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಹಾಟ್ ಸ್ವಾಪ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCN electronic components. AS4C32M16MD1A-5BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M16MD1A-5BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16MD1A-5BCN ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : AS4C32M16MD1A-5BCN
ತಯಾರಕ : Alliance Memory, Inc.
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - Mobile LPDDR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 512Mb (32M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 200MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 700ps
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 1.9V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -30°C ~ 85°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 60-VFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 60-FBGA (9x8)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.