ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ಮನೆ
  2. ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F8E3S4HB-MFCJ

Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HB-MFCJ

KEY Part #: K7359769

[24362pcs ಸ್ಟಾಕ್]

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4F8E3S4HB-MFCJ
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR5, SLC Nand, DDR3, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR4X, LPDDR4 and GDDR6 ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F8E3S4HB-MFCJ electronic components. K4F8E3S4HB-MFCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F8E3S4HB-MFCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F8E3S4HB-MFCJ ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4F8E3S4HB-MFCJ
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR3
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 8 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : x32
    ಸ್ಪೀಡ್ : 3733 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    ತಾಪ. : -40 ~ 95 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 200FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು