Microsemi Corporation - APT75GP120J

KEY Part #: K6533674

APT75GP120J ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [2252pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$19.23158
  • 10 pcs$17.98577
  • 25 pcs$16.63432
  • 100 pcs$15.59468
  • 250 pcs$14.55503

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
APT75GP120J
ತಯಾರಕ:
Microsemi Corporation
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IGBT 1200V 128A 543W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ and ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GP120J electronic components. APT75GP120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GP120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GP120J ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : APT75GP120J
ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation
ವಿವರಣೆ : IGBT 1200V 128A 543W SOT227
ಸರಣಿ : POWER MOS 7®
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಐಜಿಬಿಟಿ ಪ್ರಕಾರ : PT
ಸಂರಚನೆ : Single
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1200V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) : 128A
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 543W
Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1mA
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (Cies) @ Vce : 7.04nF @ 25V
ಇನ್ಪುಟ್ : Standard
ಎನ್‌ಟಿಸಿ ಥರ್ಮಿಸ್ಟರ್ : No
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Chassis Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : ISOTOP
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : ISOTOP®

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.