GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S6JR electronic components. S6JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : S6JR

ತಯಾರಕ : GeneSiC Semiconductor

ವಿವರಣೆ : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

ಸರಣಿ : -

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Standard, Reverse Polarity

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 600V

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 6A

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1.1V @ 6A

ವೇಗ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : -

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 10µA @ 100V

ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : -

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Chassis, Stud Mount

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : DO-203AA, DO-4, Stud

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : DO-4

ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -65°C ~ 175°C

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು