Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪೂರ್ವ , ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Comchip Technology 1N5407-G electronic components. 1N5407-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : 1N5407-G

ತಯಾರಕ : Comchip Technology

ವಿವರಣೆ : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

ಸರಣಿ : -

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Standard

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 800V

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 3A

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1V @ 3A

ವೇಗ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : -

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 5µA @ 800V

ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : -

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : DO-201AD, Axial

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : DO-27 (DO-201AD)

ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -65°C ~ 125°C

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

BAS16-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.
VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
VSB1545-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.
BAY80-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.
VS-8ETU04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.
VS-MBRB1045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.