ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
BSM180D12P2C101
ತಯಾರಕ :
Rohm Semiconductor
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Silicon Carbide (SiC)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
1200V (1.2kV)
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
204A (Tc)
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
-
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
4V @ 35.2mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
-
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
23000pF @ 10V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
Module
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
Module