Microsemi Corporation - APT45GP120J

KEY Part #: K6532673

APT45GP120J ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [2629pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$16.55589
  • 13 pcs$16.47352

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
APT45GP120J
ತಯಾರಕ:
Microsemi Corporation
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪೂರ್ವ , ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Microsemi Corporation APT45GP120J electronic components. APT45GP120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT45GP120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT45GP120J ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : APT45GP120J
ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation
ವಿವರಣೆ : IGBT 1200V 75A 329W SOT227
ಸರಣಿ : POWER MOS 7®
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಐಜಿಬಿಟಿ ಪ್ರಕಾರ : PT
ಸಂರಚನೆ : Single
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1200V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) : 75A
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 329W
Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) : 500µA
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (Cies) @ Vce : 3.94nF @ 25V
ಇನ್ಪುಟ್ : Standard
ಎನ್‌ಟಿಸಿ ಥರ್ಮಿಸ್ಟರ್ : No
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Chassis Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : ISOTOP
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : ISOTOP®

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.