Cypress Semiconductor Corp - S29GL256S10DHI023

KEY Part #: K939095

S29GL256S10DHI023 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [23340pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$1.96332

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
S29GL256S10DHI023
ತಯಾರಕ:
Cypress Semiconductor Corp
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಪಿಎಲ್‌ಡಿಗಳು (ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಲಾಜಿಕ್ ಸಾಧನ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಮಾನಿಟರ್‌ಗಳ, ತರ್ಕ - ಗೇಟ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇನ್ವರ್ಟರ್ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ಲೀನಿಯರ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಟರ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಮೇಲ್ವಿಚಾರಕರು and ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಪೊಟೆನ್ಟಿಯೊಮೀಟರ್ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10DHI023 electronic components. S29GL256S10DHI023 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256S10DHI023, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S29GL256S10DHI023 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : S29GL256S10DHI023
ತಯಾರಕ : Cypress Semiconductor Corp
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
ಸರಣಿ : GL-S
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NOR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 256Mb (16M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 60ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 100ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 64-LBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 64-FBGA (9x9)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MR25H256CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • 7164S20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W29N02GVBIAA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 3V x 8bit

  • W978H6KBVX2E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C

  • EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.