Microsemi Corporation - JANTXV1N6629US

KEY Part #: K6447637

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6629US electronic components. JANTXV1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : JANTXV1N6629US

ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation

ವಿವರಣೆ : DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B

ಸರಣಿ : -

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Standard

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 800V

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 1.4A

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1.4V @ 1.4A

ವೇಗ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : 60ns

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 2µA @ 800V

ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : 40pF @ 10V, 1MHz

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : SQ-MELF, E

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : D-5B

ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -65°C ~ 150°C

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

RURD660S9A-F085

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V
RURD660S9A-F085P

ON Semiconductor

UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes
1PS193,115

NXP USA Inc.

DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.
1PS193,135

NXP USA Inc.

DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.
VS-8EWL06FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast
EGL34GHE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು