ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
FF45MR12W1M1B11BOMA1
ತಯಾರಕ :
Infineon Technologies
ವಿವರಣೆ :
MOSFET MODULE 1200V 50A
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Dual)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Silicon Carbide (SiC)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
1200V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
25A (Tj)
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
5.55V @ 10mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
62nC @ 15V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
1840pF @ 800V
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ :
20mW (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Chassis Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
Module
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
AG-EASY1BM-2