IXYS - IXTP02N120P

KEY Part #: K6395194

IXTP02N120P ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [62346pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$0.62715
  • 350 pcs$0.55189

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IXTP02N120P
ತಯಾರಕ:
IXYS
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ and ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in IXYS IXTP02N120P electronic components. IXTP02N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP02N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP02N120P ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IXTP02N120P
ತಯಾರಕ : IXYS
ವಿವರಣೆ : MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
ಸರಣಿ : Polar™
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
FET ಪ್ರಕಾರ : N-Channel
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 1200V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 200mA (Tc)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) : 10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 75 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 4V @ 100µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 4.7nC @ 10V
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) : ±20V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 104pF @ 25V
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : -
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) : 33W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-220AB
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-220-3

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.