ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
ತಯಾರಕ :
Toshiba Semiconductor and Storage
ವಿವರಣೆ :
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ :
MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
40V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
10A (Ta)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) :
6V, 10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
44 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
3V @ 1mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
19nC @ 10V
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) :
+10V, -20V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
930pF @ 10V
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) :
27W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
175°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
DPAK+
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63