ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-3DBLA1

KEY Part #: K938113

IS46DR16320E-3DBLA1 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [19236pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.38216

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IS46DR16320E-3DBLA1
ತಯಾರಕ:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೇಸರ್ ಚಾಲಕರು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ವಿಶೇಷ, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು - ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರ್ದಿ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಕೋಡೆಕ್ಗಳು, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್, ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್, ಎಫ್‌ಪ, ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೈಟಿಂಗ್, ನಿಲುಭಾರ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು and ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಅನಲಾಗ್ ಸ್ವಿಚ್ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1 electronic components. IS46DR16320E-3DBLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320E-3DBLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320E-3DBLA1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS46DR16320E-3DBLA1
ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - DDR2
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 512Mb (32M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 333MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 450ps
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 1.9V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 84-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 84-WBGA (8x12.5)

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)