NXP USA Inc. - A2I25D025GNR1

KEY Part #: K6465947

A2I25D025GNR1 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [3143pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$13.77885
  • 500 pcs$11.46579

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
A2I25D025GNR1
ತಯಾರಕ:
NXP USA Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC TRANS RF LDMOS.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪೂರ್ವ , ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in NXP USA Inc. A2I25D025GNR1 electronic components. A2I25D025GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2I25D025GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2I25D025GNR1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : A2I25D025GNR1
ತಯಾರಕ : NXP USA Inc.
ವಿವರಣೆ : IC TRANS RF LDMOS
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ : LDMOS (Dual)
ಆವರ್ತನ : 2.69GHz
ಗಳಿಕೆ : 31.9dB
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ : 28V
ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್ : -
ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ : -
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಪರೀಕ್ಷೆ : 59mA
ಶಕ್ತಿ - put ಟ್‌ಪುಟ್ : 3.2W
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ : 65V
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-270-17 Variant, Gull Wing
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-270WBG-17

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

  • MMRF1024HSR5

    NXP USA Inc.

    FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4.

  • A2T18H410-24SR6

    NXP USA Inc.

    IC TRANS RF LDMOS.