Infineon Technologies - FP75R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532777

[1053pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    FP75R07N2E4B11BOSA1
    ತಯಾರಕ:
    Infineon Technologies
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    IGBT MODULE VCES 600V 75A.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು and ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Infineon Technologies FP75R07N2E4B11BOSA1 electronic components. FP75R07N2E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP75R07N2E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FP75R07N2E4B11BOSA1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : FP75R07N2E4B11BOSA1
    ತಯಾರಕ : Infineon Technologies
    ವಿವರಣೆ : IGBT MODULE VCES 600V 75A
    ಸರಣಿ : -
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    ಐಜಿಬಿಟಿ ಪ್ರಕಾರ : Trench Field Stop
    ಸಂರಚನೆ : Three Phase Inverter
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) : 650V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) : 75A
    ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : -
    Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 75A
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) : 1mA
    ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (Cies) @ Vce : 4.6nF @ 25V
    ಇನ್ಪುಟ್ : Standard
    ಎನ್‌ಟಿಸಿ ಥರ್ಮಿಸ್ಟರ್ : Yes
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 150°C
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Chassis Mount
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : Module
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : Module

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT