ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SI7942DP-T1-GE3
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Dual)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
100V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
3.8A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
49 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
4V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
24nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
-
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
PowerPAK® SO-8 Dual
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
PowerPAK® SO-8 Dual