1N4150W-HE3-18 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [2750629pcs ಸ್ಟಾಕ್]
- 1 pcs$0.01419
- 10,000 pcs$0.01412
- ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
- 1N4150W-HE3-18
- ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Manufacturer's standard lead time:
- ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
- ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
- ಒಂದು ವರ್ಷ
- ನಿಂದ ಚಿಪ್:
- ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
- ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
- ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
-
- ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
- ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
- ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು and ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು ...
- ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-18 electronic components. 1N4150W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-18 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
1N4150W-HE3-18
ತಯಾರಕ :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ವಿವರಣೆ :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
ಸರಣಿ :
-
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ :
Active
ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ :
Standard
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) :
50V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) :
200mA
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ :
1V @ 200mA
ವೇಗ :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) :
4ns
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr :
100nA @ 50V
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ :
2.5pF @ 0V, 1MHz
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
SOD-123
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
SOD-123
ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ :
-55°C ~ 150°C
ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置