ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
RN1106MFV(TL3,T)
ತಯಾರಕ :
Toshiba Semiconductor and Storage
ವಿವರಣೆ :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ :
NPN - Pre-Biased
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) :
100mA
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ) :
50V
ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1) :
4.7 kOhms
ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2) :
47 kOhms
ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗಳಿಕೆ (ಎಚ್ಎಫ್ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ :
80 @ 10mA, 5V
Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ) :
500nA
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
SOT-723
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
VESM