ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
APTM120H57FTG
ತಯಾರಕ :
Microsemi Corporation
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
FET ಪ್ರಕಾರ :
4 N-Channel (H-Bridge)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
1200V (1.2kV)
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
17A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
5V @ 2.5mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
187nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
5155pF @ 25V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Chassis Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
SP4