Vishay Siliconix - SIRC18DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405048

SIRC18DP-T1-GE3 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [155116pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$0.23845

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
SIRC18DP-T1-GE3
ತಯಾರಕ:
Vishay Siliconix
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು and ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Vishay Siliconix SIRC18DP-T1-GE3 electronic components. SIRC18DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRC18DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRC18DP-T1-GE3 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : SIRC18DP-T1-GE3
ತಯಾರಕ : Vishay Siliconix
ವಿವರಣೆ : MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
ಸರಣಿ : TrenchFET® Gen IV
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
FET ಪ್ರಕಾರ : N-Channel
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 30V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 60A (Tc)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) : 4.5V, 10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 1.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 2.4V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 111nC @ 10V
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) : +20V, -16V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 5060pF @ 15V
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : Schottky Diode (Body)
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) : 54.3W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : PowerPAK® SO-8
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : PowerPAK® SO-8

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು